純正イグナイタで負荷3Ω繋げて10Hz駆動
流れてるのは3.8A
試作のFET品
4A流れる ほぼロスがない。
で、当時もんは基本構造が80年代初期のもの、おそらくバイポーラだろう。
90年代中ならIGBTなんだが。
んで3連のイグナイタとコイル使ってDI化が目的なのでコスト重要。
ゆえに安価なFETで作ってみたが、耐圧と定格・最大パルス電流の兼ね合いから
ダメなら1200V耐圧のIGBTかSiCになるが、IGBTだと今の2倍、SiCだと20倍(w
しかしだな、コスト以上に動作の安定性からIGBTは使いたくない。
今の回路はFET前提の駆動回路なので、SiCならそのまま置き換えが出来るが
IGBTではON電圧がぎりぎり、OFF用の逆バイアスが掛けられない。
動作不良の可能性が高くなるんだ。
そうなるとDCDCを仕込んでやらなければならず、素子だけで済むSiCと違い
IGBTの場合は実際に掛かるコストは15倍くらいになる。
余計なモンが増えるだけ信頼性確保が大変になる訳で、使いたくはない。
Posted at 2023/02/27 23:53:24 | |
自家設計開発 Electronics | 日記