2012年は「SiCパワー半導体元年」になりそうです。

東日本大震災を機に、新たなエネルギーへの転換機運が高まると同時に、HV車やEV車もさらに普及の一途をたどっています。
そして、それらを制御するのがパワー半導体。一般的にパワー半導体はアナログ制御はせず、高速にON・OFF（PWM）することで、電流や電圧を制御しています。理由は熱損失を極力抑えるためだ。
さらに低損失、高電圧制御の要求が高まるなか、新たに登場したのが、次世代SiCパワー半導体。
いわゆる炭化ケイ素は、シリコンに比べ高電圧化・低損失が特徴。電力損失はシリコンに比べ1/7～1/8。さらに高温にも強く小型化も可能。
特にEV車は走行距離を伸ばす必要性に迫られ、また次世代電力網の変換装置や、家電機器のインバーターなど、電力損失の低減が更に求められています。
2012年はSiCパワー半導体元年になりそうです。