遅滞リレーの作成 part1 作成編

先人様のを参考に遅滞リレーを作ってみました。

回路図はこんな感じです。
電子回路は超ド素人なんで、これを見て作られる方は自己責任でお願いします。
ま、相変わらず理論的に理解していないので各部品がどのような働きをしているのか実はさっぱりワカリマセン（核爆）

とりあえずこの通りにつなぐと遅滞リレーができました（゜Д゜））ﾏｼﾞﾃﾞ!?
この回路でLED数発ならスイッチOFF後最大2秒ほどOFFまでの時間が遅れます。
半可変抵抗でOFFまでの時間を変更できます。

遅延リレーと違って遅滞リレーはマイナスコントロールとなります。
例えばLEDのマイナス側に遅滞リレーを組み込むことによって、OFFの時間を遅らせることができます。

要はルームランプがキーロック後にしばらくしてから消えるアレです。

遅滞リレーの用途は、
・キーOFF後にもしばらく電気を使いたい。（例えばパワーウィンドウとか）
・長押しスイッチを一発スイッチにしたい。
・ウィンカーの点滅信号を連続信号にしたい。
などなどです。

使用する目的によって電流量が変わってきますので、電解コンデンサーや抵抗の値はその都度変更する必要があります。

今回はウィンカーの点滅信号を連続信号に変更する必要があったので、それ用に作りました。

MOSFETはピンが3本あります。
MOSFET自体はスイッチングをするためのモノらしいですが、相変わらずよくわかりません。
詳しくはググって調べてください（笑）

現段階でわかることは、
n型MOSFETとは、電流の入り口となるD（ドレイン）、出口となるS（ソース）、D-S間の電流の流れを制御するG（ゲート）という3つの金属電極から成り立っています。

ｎ型ではゲートに電圧がかかっていない状態ではドレイン→ソース間に電流は流れません。（←OFF状態）
ゲートに電圧をかけるとドレインからソースに向かって電流が流れます。（←ON状態）

では作成です。
使った部品は、
・MOSFET(ｎチャンネル　品番2SK2232)
・電解コンデンサー（16V10μF）
・半可変抵抗（100kΩ）
・基盤
です。

部品がそろったら、画像のような順番で基盤に半田付けします。
MOSFETは向きに気をつけて、
電解コンデンサーはプラスマイナスに気をつけてください。←筒に白線がある方、または足の短いほうがマイナスです。
半可変抵抗は極性はありません。

回路図の通りにつなぐと裏側はこうなります。
MOSFETのS（ソース）をコンデンサーのマイナスに、D（ドレイン）をコンデンサーのプラスにつなぎます。

半可変抵抗は3本足ですが、並列に並んでいる足をそれぞれコンデンサーのプラスとマイナスにつなぎます。
残った1本は半可変抵抗のどちらの足につないでもOKです。

それぞれの足にコードをつなげます。

そしてショート防止のためにホットボンドをこんもりと・・・。

おなじみ100均のピルケースに入れました。

G（ゲート）につながるコードには3Aの一般整流ダイオードをつけました。

～part2実験編へ～