4端子型SiC-FET　DCパワーアンプ　その4（挫折編）

前回報告の今後の対応案で、
案２の終段のドライバを外して、２段目アンプで直接終段をドライブする案で復活を図ります。
ドライブ能力が足りず寝ぼけた音になるかもしれませんが、とりあえず音を出すことを優先しました。

終段のドライブTrの2SK4150とドライブ抵抗220Ωを取り外し、２段目Trで直接ドライブします。

参考
https://minkara.carview.co.jp/image.aspx?src=https%3a%2f%2fcdn.snsimg.carview.co.jp%2fminkara%2fphoto%2f000%2f005%2f013%2f280%2f5013280%2fp2.jpg%3fct%3d9098494d2878
回路図のTr6，Tr7を取り外し

無事調整ができました（アイドリング電流Id＝150ｍA、V0＝1ｍV）。

早速出力波形を観てみます。

10kHzサイン波
少し歪んでいる？

赤線：入力信号
黄色線：出力信号（８Ω負荷）
以下同じ

10kHz方形波
オーバーシュートが出ていますので、位相補正をして対応します。
入力信号の乱れは、プローブのアース線の接続位置が原因と後で判りました。

NFB抵抗に47pFをパラ接続してみました。
写真中央の青色の部品

10kHz方形波
オーバーシュートは治まりました。

20 kHzサイン波を観測していた時、なんか波形が歪んでいるなと見ていたら、電源途中に入れた8Aフューズが音を立てて飛びました。
D-S間抵抗3.3Ω　あーぁ、これで半生３個目です。

方形波がキレイなので、原因は発振ではないようです。
８Ω負荷、11V電源電圧なので、負荷経由では1.4AがMAX電流となりますので、十分余裕があります。
調べたところ、セルフターンオン現象による瞬時導通で過大電流が流れると共に発熱、破壊に至ったのではないかと推測しました。
この石はSi　MOSFETとSiC　JFETのカスコード構造となっており、ON－OFF動作は良好なのですが、その中間動作では想定外の使用方法をしたためと思います。（勉強不足なのでチラシの裏書き）

半生Trの発生は精神的ダメージを受けます。
試行錯誤で石を飛ばしながら修正も可能ですが、４端子SiC-FETの使用は断念しようと思います。残念。

次は、
案３：今回の４端子Si-C MOSを諦め、2SK2233などへ変更して復活を図ろうと思います。

つづく