4端子型SiC-FET改め 2SK2232　DCパワーアンプ　その5（復活編）

前回報告の今後の対応案で、
案３：今回の４端子Si-C MOSを諦め、2SK2232へ変更して復活を図りました。

写真はアンプのベンチテスト用ツインクーラー。
強制空冷すれば約100W×2出力まで対応可能です。

このCPUクーラーを直ぐ判った方は、かなりのパソコンおやじ？です。

終段MOS-FETの選定
今回のMOS-FETは2SK2232を使用しました。
小出力に限定すれば、特性の良いFETの使用が可能となります。

特性の比較
FET　　 　SiC-4端子　K2232　K2233
Ciss　(pF) 　 1422　 　1000　　1800
Coss　(pF)　　 68　　　550 　　900
Crss　(pF)　　2.7　　　200 　　350
許容損失（W） 155　　　35　 　100
耐圧（V）　　　750　 　60　　　60
ON抵抗（mΩ） 58　 　　57 　 　 40

内部静電容量は、今回使用の2SK2232はこれまで使用してきた2SK2233の60％程度で高域の特性向上が期待できます。

VGS-Idの関係を測定します。

ドライバはいつもの2SK4150です。
通電による温度上昇で測定電流値が上昇していきますので、通電後同じタイミングでテスターのホールドボタンを押して測定し、直ぐに電源の切断を繰り返します。

VGS-Idグラフ

VGSを3.0Vにすると150ｍAが流れます。この点（グラフの三角マーク）をクロスポイントに設定します。

前回の回路を一部手直しして組み立てます。

前回、終段は半生破損しましたが、電圧増幅段は無傷でした。
2段目の頭のVRに300Ωを追加しますと、VGSを2V～4Vまで可変できます。

2.5V程度に仮調整後、終段モジュールを接続し、Id＝150ｍA、V0＝0Vに調整できました。

参考　回路図（変更前）
https://minkara.carview.co.jp/userid/2649267/car/2217963/5013280/photo.aspx

波形を観ます。
10khzサイン波

10kHZ方形波

位相補正をしないとオーバーシュートが出ますので、NFB抵抗に47pFをパラりました。
もう少し小容量でもいいかもしれません。

前回までの観測は、プローブのアースを入力点と出力点に両方接続していましたが、今回入力点のみアース接続することで波形の乱れは解消しました。

アンプベンチテスト用としてCPUクーラー２個を取り付けて、音出しです。

つづく