電子部品は陸上用とはまったく方向性が異なる。地上品からすると超高耐久超高耐環境品だ。ただし、集積度は低い。成層圏上層以上を飛行するとなると宇宙線の影響が大きくなる。半導体にとっては大敵が降り注ぐところなわけよ。特にDRAMにとっては過酷。セルが被爆すると化けてしまうから。その昔ミグから真空管が出てきた時にあーだこーだ言われたが、単純に共産圏では耐環境性能を持った半導体が作れず、昔ながらの真空管でしか組めなかったってだけよ。んで、集積度が低い実例を挙げれば現在512Gbit～1024Gbit DRAMが量産されているが、航空宇宙用は1/10000以下の容量しか無い。耐環境のためには物量が必要だからだ。事DRAMは単位辺りの情報記憶部分の面積がそのまま記録容量に関わる。大容量化するにはどんどん微細化していく。これはDRAMの基本原理上情報をコンデンサの電荷の有無で記録するため、コンデンサの容量の低下を意味する。小さくなればなるほど放射線が当たっただけでも充電されてしまい化けてしまう。＊今生産されていないUV-EPROMはこの原理で直接セルに紫外線当てて充電してんのよ。で、耐環境性のためにはある程度のセルのサイズ、使用材料中の不要放射源の除去を行いそんでパッケージ自体もシールドとして組むんで熱対策まで考えると集積度上げられない。大体128MbitDRAM時で64kbit位だったからな。
